 |
晶体管参数测试仪
产品型号：JFY3022A
产品编号：TC-023911
|
晶体管参数测试仪 型号：JFY3022A
JFY3022A晶体管参数测试仪详细介绍
※概述:
JFY3022A晶体管参数测试仪，是一种**门用于各种电子元件参数测试的新型多功能测试装置。该机采用大规模MCU设计,中文界面操作,大容量内存,可存2000种元件参数设置数据.仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便,适用电子产品生产厂家或电子元件供应商来料检测。
※ 测量元件类型:
N型三*管,P型三*管,N型MOS场效应管,P型MOS场效应管N型结型场效应管,正负三端稳压IC,三端肖特基,基准器431,整流二*管,整流桥堆，可控硅，稳压二*管.
※ 测量参数:
■ 整流二*管,三端肖特基，整流桥堆:
|
参数項 |
测试参数 |
测试条件设置 |
|
正向压降(VF) |
0-2.000V |
0-2.000A |
|
耐压(VRR) |
0-1500V |
0-2.000MA |
■N型三*管:
|
参数項 |
测试参数 |
测试条件设置 |
|
输入正向压降(VBE) |
0-2.000V |
0-2.000A |
|
耐压(BVCEO) |
0-1500V |
0-2.000MA |
|
放大倍数(HEF) |
0-3000 |
VCE:0-20V IC:0-2.000A |
|
饱和压降(Vsat) |
0-2.000V |
IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
■P型三*管:
|
参数項 |
测试参数 |
测试条件设置 |
|
输入正向压降(VBE) |
0-2.000V |
0-2.000A |
|
耐压(BVCEO) |
0-1500V |
0-2.000MA |
|
放大倍数(HEF) |
0-3000 |
VCE:5.0V IB:100uA |
|
饱和压降(Vsat) |
0-2.000V |
IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
N,P型MOS场效应管:
|
参数項 |
测试参数 |
测试条件设置 |
|
启动电压(VGS(th)) |
0-20.00V |
0-2.000mA |
|
耐压(BVCEO) |
0-1500V |
0-2.000mA |
|
导通内阻(Rson) |
0.1Mr-200R |
Vgs:0-20V Id:0-2.000A |
单双向可控硅:
|
参数項 |
测试参数 |
测试条件设置 |
|
触发电流(IGT) |
0-40.MA |
VD=0-20V,ID=0-2.000A |
|
触发电压(VGT) |
0-2.000V |
VD=0-20V,ID=0-2.000A |
|
耐压(VDRM VRRM) |
0-1500V |
0-2.000mA |
|
通态压降(VTM) |
0-2.000V |
IT:0-2.00A |
三端稳压IC:
|
参数項 |
测试参数 |
测试条件设置 |
|
输出电压(Vo) |
0-20.00V |
Vin:0-20V Io:0-2.00A |
基准IC 431:
|
参数項 |
测试参数 |
测试条件设置 |
|
输出电压(Vo) |
0-20.00V |
IZ:0-200mA |
■ 稳压二*管:
|
参数項 |
测试参数 |
测试条件设置 |
|
稳压值(VZ) |
0-20V |
0-100MA |
|
稳压值(VZ) |
20-200V |
0-2.000MA |
