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双组合四探针方阻/电阻率测试仪 双电测四探针测试仪
双组合四探针方阻/电阻率测试仪 双电测四探针测试仪
产品型号:KDB-3
产品编号:TC-020178
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双组合四探针方阻/电阻率测试仪 双电测四探针测试仪  型号:KDB-3

 KDB-3双组合测试仪是根据国际标准SEMI MF1529设计,双组合测试方法使用四探针的方式不同于其他ASTM测量半导体电阻率或薄层电阻的方法。在本测试方法中,在测试样品的每个测量位置上,以两种不同的方式(配置)将探针连接到提供电流和测量电压的电路中。四探针的这种使用法通常被称为“双配置”或“配置切换”测量。单组合四探针相比,用较小间距的探针头就可以进行高精度的测量,从而可获得更高的晶片薄层电阻变化的空间分辨率。 
仪器特点如下: 
1、配有双数字表:一块数字表在测量显示硅片电阻率的同时,另一块数字表(以万分之几的精度)适时监测全过程中的电流变化,使操作更简便,测量更精确。 
数字电压表量程:0—199.99mV  灵敏度:10μV  输入阻抗:1000ΜΩ 
                        基本误差±(0.04-0.05%读数+0.01%满度) 
2、可测电阻率范围:10—4 —1.9×104Ω·cm。 
     可测方块电阻范围:10—3 —1.9×105Ω/□。 
3、设有电压表动复零功能,当四探针头1、4探针间未有测量电流流过时,电压表指零,只有1、4探针接触到硅片,测量电流渡过单晶时,电压表才指示2、3探针间的电压(即电阻率)值;同样,当四探针头1、3探针间未有测量电流流过时,电压表指零,只有1、3探针接触到硅片,测量电流渡过单晶时,电压表才指示2、4探针间的电压(即电阻率)值,避免空间杂散电波对测量的干扰。 
4、流经硅片的测量电流由高度稳定(万分之五精度)的特制恒流源提供,不受气候条件的影响,整机测量精度<3%。 
电流量程分五档:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA。 
5、仪器采用触点电阻更低(<5mΩ)、使用寿命更长的转换开头及继电器(>10万次),在绝缘电阻、电流容量方面留有更大的安全系数,提高了测试仪的可靠性和使用寿命。 
6、可选配**用软件进行数据采集,可进行双组合或单组合测量,实现动切换电压档位、读取相应电压值,根据不同方法计算电阻率或方块电阻值;软件可对测量数据进行分析,如平均值,Z大值、Z小值、Z大百分变化率、平均百分变化率、径向不均匀度等内容。 
7、可配KDDJ-3电动测试架,动上下运行,使测量更方便快捷。 
8、四探针头采用国际上**的红宝石轴套导向结构,使探针的游移率减小,测量重复性提高

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